مشخصات فیزیکی
- وزن 9 گرم
- فرم فاکتور M.2 2280
- نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC
مشخصات فنی
- ظرفیت 2 ترابایت
- نوع رابط PCIe Gen 4.0 x4
- کنترل کننده Samsung Elpis Controller
سایر مشخصات
- مقاومت در برابر لرزش
- مقاومت در برابر شوک
- میزان مقاومت شوک 1,500G & 0.5 ms (Half sine)
- میانگین عمر - MTBF 1.500.000 ساعت
- دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
مزایا و معایب
- مزایا کیفیت ساخت و ماندگاری بالا
رابط‌اتصال PCIe Gen 4.0 x4
مقاومت در برابر شوک و لرزش
.png)
.png)
.png)
.png)